雙堆棧架構超300層 三星計劃明年生產9代V-NAND閃存

(資料圖)

【太平洋科技資訊】三星電子計劃在明年生產第9代V-NAND閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過300層。這一計劃將使三星超過競爭對手SK海力士，后者計劃在2025年上半年開始量產321層的三層堆棧架構NAND閃存。早在2020年，三星就首次引入了雙層堆棧架構，開始生產第7代V-NAND閃存芯片。

雙層堆棧架構是指在300mm晶圓上生產一個3D NAND堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上再建立一個堆棧。

三星即將生產的超過300層的第9代V-NAND將提高單個晶圓上的存儲密度，從而有利于降低固態硬盤的成本。

與此同時，作為競爭對手，SK海力士的三層堆棧架構是通過創建三組不同的3D NAND層來實現的。這種做法將增加生產步驟和原材料的使用量，旨在最大限度地提高產量。

此外，據首爾經濟日報報道，業界認為在三星推出第9代3D NAND之后，該公司有望在第10代的430層3D NAND中采用三層堆棧架構。該報援引業內人士的話稱，如果3D NAND的層數超過400，原材料的使用量和晶圓的成本也會大幅增加，但同時也能保證產量。

在去年10月舉行的“2022三星科技日”上，三星提出了長期愿景，即到2030年將層數提升至1000層。這一愿景顯示了三星在3D NAND技術領域的雄心壯志。

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